• MB6M/MB8M/MB10M JF DIP Bridge Rectifier Diode в пакете MBM для структуры чипов GPP
  • MB6M/MB8M/MB10M JF DIP Bridge Rectifier Diode в пакете MBM для структуры чипов GPP
  • MB6M/MB8M/MB10M JF DIP Bridge Rectifier Diode в пакете MBM для структуры чипов GPP
  • MB6M/MB8M/MB10M JF DIP Bridge Rectifier Diode в пакете MBM для структуры чипов GPP
  • MB6M/MB8M/MB10M JF DIP Bridge Rectifier Diode в пакете MBM для структуры чипов GPP
  • MB6M/MB8M/MB10M JF DIP Bridge Rectifier Diode в пакете MBM для структуры чипов GPP
MB6M/MB8M/MB10M JF DIP Bridge Rectifier Diode в пакете MBM для структуры чипов GPP

MB6M/MB8M/MB10M JF DIP Bridge Rectifier Diode в пакете MBM для структуры чипов GPP

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Сертификация: ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 31000 штук
Цена: Negotiable
Время доставки: Период проведения пикового сезона: один месяц Период проведения вне сезона: в течение 15 рабочих дне
Условия оплаты: LC, T/T, PayPal
Поставка способности: 10000000000 штук/год
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Модель No.: MB6M Сила света: Никакого свечения
Цвет: Никакого свечения Структура: Чип GPP
Материал: Кремний VRRM: 600 В
ЕСЛИ: 1.0A Транспортный пакет: MBM
Спецификация: ДИОД ПРЕДПРАВИТЕЛЬНОГО моста Торговая марка: JF
Производство: Китай Код СС: 85411000
Поставка способности: 10000000000 штук/год Размер упаковки: 200,00 см * 40,00 см * 15,00 см
Валовая масса упаковки: 8.000 кг

Характер продукции

Описание продукта
 
ПАСИВИРОВАННЫЙ ПРЕДПРАВИТЕЛЬ ПРОЕКТА из стекла
Электронный компонент

Номер детали: MB1M THRU MB10M

Главный параметр:

Тип VRRM Если IR(25oC) IR ((100oC) IR125oC) VF Trr Конспект
V А. μA μA uA V nS
MB6M 600 1.0 5   100 1.1   МБМ
MB8M 800 1.0 5   100 1.1  
MB10M 1000 1.0 5   100 1.1  

Марка:Логотип JF

Пакет:Пакет MBM (тип DIP)
Производитель:Компания Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

Особенности:

Пластиковый пакет имеет подписчиков лаборатории воспламеняемость
Классификация 94V-0
Стеклянный пассивированный чип-соединение
Номинальная напряженность до 1000 В PRV
Идеально подходит для печатных плат
Гарантированная высокотемпературная сварка:260 C/10 секунд на терминалах
Компонент в соответствии с RoHS 2011 65 EU

Применение: 
Используется в области электроснабжения, освещения, автомобилей, бытовых приборов

MB6M/MB8M/MB10M JF Brand DIP Bridge Rectifier Diode with MBM PackageMB6M/MB8M/MB10M JF Brand DIP Bridge Rectifier Diode with MBM Package

Профиль компании

MB6M/MB8M/MB10M JF Brand DIP Bridge Rectifier Diode with MBM Package
MB6M/MB8M/MB10M JF Brand DIP Bridge Rectifier Diode with MBM Package
MB6M/MB8M/MB10M JF Brand DIP Bridge Rectifier Diode with MBM Package

MB6M/MB8M/MB10M JF Brand DIP Bridge Rectifier Diode with MBM PackageMB6M/MB8M/MB10M JF Brand DIP Bridge Rectifier Diode with MBM PackageMB6M/MB8M/MB10M JF Brand DIP Bridge Rectifier Diode with MBM Package

MB6M/MB8M/MB10M JF Brand DIP Bridge Rectifier Diode with MBM Package
MB6M/MB8M/MB10M JF Brand DIP Bridge Rectifier Diode with MBM Package

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно MB6M/MB8M/MB10M JF DIP Bridge Rectifier Diode в пакете MBM для структуры чипов GPP не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.